等离子清洗技术在晶圆芯片封装工艺中有哪些应用？
文章导读：在半导体器件生产过程中，晶圆芯片表面会存在各种微粒、金属离子、有机物及残留的磨料颗粒等沾污杂质，等离子体清洗技术这种干法工艺优势明显。普乐斯将多年的服务经验整理如下，仅供大家参考：
1、 铜引线框架
处于对性能和成本的考虑，微电子封装领域目前主要采用导热性、导电性、加工性能良好的铜合金材料作为引线框架。铜的氧化物与其它一些有机污染物会造成密封模塑与铜引线框架的分层，造成封装后密封性能变差与慢性渗气现象，同时也会影响芯片的粘接和引线键合质量，经过普乐斯等离子清洗技术处理铜引线框架，可去除有机物和氧化层，同时活化和粗化表面，确保打线和封装的可靠性。
2、 引线键合
引线键合的质量对微电子器件的可靠性有决定性影响，键合区必须无污染物并具有良好的键合特性。污染物的存在，如氧化物、有机污染物等都会严重削弱引线键合的拉力值。等离子体清洗能有效去除键合区的表面污染物并使其粗糙度增加，能明显提高引线的键合拉力，极大的提高封装器件的可靠性。
3、倒装芯片封装
随着倒装芯片封装技术的出现，等离子清洗已成为其提高产量的必要条件。对芯片以及封装载板进行等离子体处理，不但能得到超净化的焊接表面，同时还能大大提高焊接表面的活性，这样可以有效防止虚焊和减少空洞，提高填充料的边缘高度和包容性，改善封装的机械强度，降低因不同材料的热膨胀系数而在界面间形成内应的剪切力，提高产品可靠性和寿命。
4、陶瓷封装
陶瓷封装中通常使用金属浆料印制线路板作键合区、盖板密封区。在这些材料的表面电镀Ni、Au前采用等离子体清洗，可去除有机物钻污，明显提高镀层质量。
5、晶圆光刻胶去除
传统的湿化学方法去除晶圆表面的光刻胶存在反应不能精准控制，清洗不彻底，容易引入杂质等缺点。作为干式方法的等离子体处理可控性强，一致性好，不仅可以彻底去除光刻胶和其他有机物，而且还可以活化和粗化晶圆表面，提高晶圆表面浸润性。
以上一些内容是关于等离子清洗技术在半导体行业中的应用，您知道的还有那些呢？欢迎大家留言与我们交流和分享。
亲，如果您对 晶圆芯片封装等离子技术感兴趣或者想了解更多详细信息，欢迎点击普乐斯的在线客服进行咨询，或者直接拨打全国统一服务热线 400-816-9009，普乐斯恭候您的来电！
处于对性能和成本的考虑，微电子封装领域目前主要采用导热性、导电性、加工性能良好的铜合金材料作为引线框架。铜的氧化物与其它一些有机污染物会造成密封模塑与铜引线框架的分层，造成封装后密封性能变差与慢性渗气现象，同时也会影响芯片的粘接和引线键合质量，经过普乐斯等离子清洗技术处理铜引线框架，可去除有机物和氧化层，同时活化和粗化表面，确保打线和封装的可靠性。
2、 引线键合
引线键合的质量对微电子器件的可靠性有决定性影响，键合区必须无污染物并具有良好的键合特性。污染物的存在，如氧化物、有机污染物等都会严重削弱引线键合的拉力值。等离子体清洗能有效去除键合区的表面污染物并使其粗糙度增加，能明显提高引线的键合拉力，极大的提高封装器件的可靠性。
3、倒装芯片封装
随着倒装芯片封装技术的出现，等离子清洗已成为其提高产量的必要条件。对芯片以及封装载板进行等离子体处理，不但能得到超净化的焊接表面，同时还能大大提高焊接表面的活性，这样可以有效防止虚焊和减少空洞，提高填充料的边缘高度和包容性，改善封装的机械强度，降低因不同材料的热膨胀系数而在界面间形成内应的剪切力，提高产品可靠性和寿命。
4、陶瓷封装
陶瓷封装中通常使用金属浆料印制线路板作键合区、盖板密封区。在这些材料的表面电镀Ni、Au前采用等离子体清洗，可去除有机物钻污，明显提高镀层质量。
传统的湿化学方法去除晶圆表面的光刻胶存在反应不能精准控制，清洗不彻底，容易引入杂质等缺点。作为干式方法的等离子体处理可控性强，一致性好，不仅可以彻底去除光刻胶和其他有机物，而且还可以活化和粗化晶圆表面，提高晶圆表面浸润性。
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