晶圆表面等离子处理的原理
文章导读：等离子清洗是通过等离子体的作用来去除晶圆表面的污染物和残留物。等离子体是一种高能离子，具有很强的化学反应性和机械作用力。当等离子体与晶圆表面接触时，会发生化学反应和物理作用，从而去除表面的污染物和残留物。
为什么要去除光刻胶？
众所周知，光刻胶是半导体晶圆制造的核心材料。在晶圆制程中，光刻工艺约占整个晶圆制造成本的35%，耗时占整个晶圆工艺的40-50%，是半导体制造中最核心的工艺。
在光刻环节里有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶，光刻胶在完成图形复制和传递作用后，晶圆表面剩余光刻胶需要通过去胶工艺进行完全清除。
等离子表面处理的工作原理
其中等离子表面处理的工作原理是，在真空状态下，处理腔室中的压力会越来越小，分子间距增加，导致分子间相互的力变小，而在这种情况下利用高频电源产生的高压交变电场会将氧气、氢气、氩气、四氟化碳等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的等离子体，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞，以此形成挥发性物质，然后有工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到等离子表面清洁、活化等目的。（双腔体等离子处理机）
1、表面清洁
在先进封装中，PI胶或光刻胶经湿法去胶后，表面仍然残留一定的较薄的胶层；而在凸点工艺结束后，需要将下金属层UBM多余的部分用湿法刻蚀除去，但是湿法去除并不彻底。通常使用O2 Plasma来去除残胶，用Ar离子轰击除去残留金属。
2、提高结合力
等离子轰击晶圆表面，可以对表面进行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面对晶圆表面进行改性，这两个措施都能提高基材与沉积膜层的结合力。
3、改善润湿性
使用等离子处理后的材料，增加了表面的极性基团，亲水性提升，接触角减小。
等离子清洗是通过等离子体的作用来去除晶圆表面的污染物和残留物。等离子体是一种高能离子，具有很强的化学反应性和机械作用力。当等离子体与晶圆表面接触时，会发生化学反应和物理作用，从而去除表面的污染物和残留物。
众所周知，光刻胶是半导体晶圆制造的核心材料。在晶圆制程中，光刻工艺约占整个晶圆制造成本的35%，耗时占整个晶圆工艺的40-50%，是半导体制造中最核心的工艺。
在光刻环节里有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶，光刻胶在完成图形复制和传递作用后，晶圆表面剩余光刻胶需要通过去胶工艺进行完全清除。
其中等离子表面处理的工作原理是，在真空状态下，处理腔室中的压力会越来越小，分子间距增加，导致分子间相互的力变小，而在这种情况下利用高频电源产生的高压交变电场会将氧气、氢气、氩气、四氟化碳等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的等离子体，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞，以此形成挥发性物质，然后有工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到等离子表面清洁、活化等目的。（双腔体等离子处理机）
1、表面清洁
在先进封装中，PI胶或光刻胶经湿法去胶后，表面仍然残留一定的较薄的胶层；而在凸点工艺结束后，需要将下金属层UBM多余的部分用湿法刻蚀除去，但是湿法去除并不彻底。通常使用O2 Plasma来去除残胶，用Ar离子轰击除去残留金属。
等离子轰击晶圆表面，可以对表面进行粗化，增加表面的粗糙度。另一方面对晶圆表面进行改性，这两个措施都能提高基材与沉积膜层的结合力。
3、改善润湿性
使用等离子处理后的材料，增加了表面的极性基团，亲水性提升，接触角减小。
等离子清洗是通过等离子体的作用来去除晶圆表面的污染物和残留物。等离子体是一种高能离子，具有很强的化学反应性和机械作用力。当等离子体与晶圆表面接触时，会发生化学反应和物理作用，从而去除表面的污染物和残留物。
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