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普乐斯等离子清洗设备行业观察,三星规划利用3纳米工艺制造芯片

返回列表 来源:普乐斯 浏览: 发布日期:2020-01-03 10:13【
文章导读:普乐斯等离子清洗设备行业观察,据韩国媒体报导,三星电子的领导人李在镕近日探讨了三星将规划首fa3nmGAA制程芯片的战略规划。
普乐斯等离子清洗设备行业观察,该报导称,李在镕参观了三星电子地处京畿道华城的半导体研发中心。这也是李在镕在2020年的第1个官方行程,在此期间他听取了三星电子3nm制程技术报告,并且跟半导体部门主管探讨了全新一代半导体战略。
普乐斯等离子清洗设备行业观察,三星规划利用3纳米工艺制造芯片
据称,李在镕探讨了三星规划运用正研发中的新式3nmGAA制程技术来制造尖duan晶片的规划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版,能确保芯片制造商进一步缩小体积。
去年4月三星电子完成了运用EUV的5nmFinFET制程技术的研发。现如今该公司正研究下一代制程技术。三星电子表示,与5nm制程相比,3nmGAA技术的逻辑面积效率提升了35%以上,功耗减低了50%,性能提升了约30%。
普乐斯等离子清洗设备行业观察,三星规划利用3纳米工艺制造芯片
这一举动也照应三星之前所讲的,将全力进攻非DRAM与NANDFlash晶片的半导体市场,在去年,三星宣布了一项折合高达1118.5亿美元的投资计划,目的是要让三星可以成為世界上zui大的半导体芯片制造商。

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